Projektu siekiama prisidėti prie Lietuvos pažangos ir MTEP vykdomų tyrimų kokybės bei apimties didinimo atnaujinant ir modernizuojant įrangą, susijusią su Horizon Europe (HORIZON) kvietimo „HORIZON-CL4-2023-DIGITAL-EMERGING-01-CNECT“ projektu nr. 101136028 — 2TheMooN Įranga pasitarnautų atliekant tolesnius tyrimus, susijusius su teikto projekto „2D-FeFET Technology for Scalable Monolithic-3D Compatible Memory and Neuromorphic Systems“ tematika, leistų sugeneruoti papildomus rezultatus, reikalingus teiktos paraiškos tobulinimui ir perteikimui. Projekto „2D-FeFET Technology for Scalable Monolithic-3D Compatible Memory and Neuromorphic Systems“ (2TheMooN) tikslas buvo sukurti technologiją, kuri integruotų feroelektrinių lauko tranzistorių (Fe FET) gamybos procesus į šiuo metu naudojamus puslaidininkinius CMOS mazgus, įgalinant kurti efektyvias 3D struktūras bei naudoti jas kaip operatyviąsias atmintines (RAM) su neuromorfinio skaičiavimo funkcionalumu ateities dirbtinio intelekto lustams. Pagrindinės projekto veiklos, kurioms reikalinga ši įranga: 1.Vystyti žemų energijos sąnaudų (žematemperatūrį) feroelektrinių HfO2 ant MoS2 sluoksnių integracijos į Fe FET tranzistorių gamybos proceso patikimumą, ilgaamžiškumą ir kitas kokybines charakteristikas. Įsigyjama įranga reikalinga feroelektrinės fazės stabilumo tyrimams HfO2 sluoksniuose užaugintuose ant MoS2. 2. HfO2 pagrindu pagamintų įrenginių tyrimas. Įranga reikalinga feroelektrinių kondensatorinių struktūrų charakterizavimui ir patikimumo tyrimams: el. krūvio išlaikymo, perpoliarizavimo, plačiajuosčių dielektrinių savybių, ilgaamžiškumo, pramušimo ir triukšmų tyrimams. Šiuo metu Fizikos fakulteto Taikomosios elektrodinamikos ir telekomunikacijų institute vykdomi plonųjų sluoksnių feroelektriniai ir pjezoelektriniai tyrimai. Jie koncentruoti į bešvines feroelektrines medžiagas, kurias būtų galima integruoti į šiuolaikinius puslaidininkinius CMOS technologinius procesus, naudoti kaip aktyvius elementus mikroelektromechaninių sistemų (MEMS) lustų gamyboje ir pan. Norint tinkamai įvertinti užaugintų 2D feroelektrinių sluoksnių funkcinius parametrus, reikalinga precizinė šių plonųjų sluoksnių elektrinių ir mechaninių savybių charakterizavimo įranga. Ji leistų instituto mokslininkams aktyviai konkuruoti tarptautinėje erdvėje, prisidėtų prie jaunųjų mokslininkų rengimo ir jų kompetencijų tobulinimo, sukurtų prielaidas vystyti šiuolaikines puslaidininkines technologijas ir jais paremtus sprendimus bei įtaisus Vilniaus universitete. Projektas pagal savo pobūdį nepažeidžia horizontaliųjų principų ir neprieštarauja Jungtinių Tautų neįgaliųjų teisių konvencijos nuostatoms. Projekto įgyvendinimo metu nenumatoma jokių apribojimų, kurie turėtų neigiamą poveikį lygių galimybių ir nediskriminavimo dėl lyties, rasės, tautybės, kalbos, kilmės, socialinės padėties, tikėjimo, įsitikinimų ar pažiūrų, amžiaus, negalios, lytinės orientacijos, etninės priklausomybės, religijos ar kitų bruožų principams įgyvendinti. Projekte nenumatyta veiksmų, kurie turėtų neigiamą poveikį darnaus vystymosi principui įgyvendinti ar veiksmų, kurie turėtų neigiamą poveikį inovatyvumo (kūrybingumo) principui įgyvendinti (finansuojama veikla netiesiogiai prisideda prie šio principo įgyvendinimo, nes yra orientuota į mokslinių tyrimų ir eksperimentinės plėtros vystymą). Projekto įgyvendinimo metu nenumatyta veiksmų, kurie pažeistų PFSA nustatytų reikalavimų dėl atitinkamų Europos Sąjungos pagrindinių teisių chartijos nuostatų laikymąsi.